1. ভূমিকা ও সারসংক্ষেপ
এই প্রতিবেদনটি কঠিন-অবস্থা কোয়ান্টাম ফোটনিক্সের একটি মৌলিক বাধা—উচ্চ প্রতিসরাঙ্কের অর্ধপরিবাহী থেকে ফোটন আহরণের অদক্ষতা—মোকাবিলা করা একটি গুরুত্বপূর্ণ গবেষণার বিশ্লেষণ করে। এই গবেষণাটি গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)-এ অবস্থিত একটি একক কালার সেন্টার থেকে আলোক সংগ্রহকে নাটকীয়ভাবে বৃদ্ধি করতে প্রায় সমান প্রতিসরাঙ্কের একটি অর্ধগোলাকার কঠিন নিমজ্জন লেন্স (SIL)-এর প্রয়োগ প্রদর্শন করে। মূল অর্জনটি হল কক্ষ তাপমাত্রায় ফোটন সংগ্রহ দক্ষতায় ৪.৩ ± ০.১ গুণ বৃদ্ধি, পাশাপাশি পার্শ্বীয় ইমেজিং রেজোলিউশনে আনুপাতিক উন্নতি। এই কাজটি পরিণত তৃতীয়-নাইট্রাইড অর্ধপরিবাহী প্রযুক্তিকে উদীয়মান কোয়ান্টাম তথ্য বিজ্ঞানের সাথে যুক্ত করে, কোয়ান্টাম নির্গমনকারীদের কার্যকারিতা বৃদ্ধির জন্য একটি ব্যবহারিক, উৎপাদন-পরবর্তী সমাধান প্রদান করে।
2. পটভূমি ও উদ্দেশ্য
2.1 কোয়ান্টাম আলোর উৎস হিসেবে কালার সেন্টার
কালার সেন্টার হল স্ফটিকের মধ্যে পারমাণবিক-স্কেলের ত্রুটি যা একক ফোটন নির্গত করতে পারে। এগুলি একটি পরমাণুর সুসংজ্ঞায়িত কোয়ান্টাম অবস্থাকে একটি কঠিন-অবস্থা ধারকের স্থিতিশীলতা ও সংযোজনযোগ্যতার সাথে মিলিত করে। সফল প্ল্যাটফর্মগুলির মধ্যে রয়েছে হীরা (NV, SiV সেন্টার), সিলিকন কার্বাইড এবং সম্প্রতি, ষড়ভুজাকার বোরন নাইট্রাইড (hBN)। এগুলির কার্যকারিতা, বিশেষ করে কক্ষ তাপমাত্রায়, ধারক উপাদানের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ দ্বারা সম্ভব হয়, যা ত্রুটির ইলেকট্রনিক অবস্থার তাপীয় আয়নীকরণ প্রতিরোধ করে।
2.2 গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)-এর প্রাসঙ্গিকতা
GaN তার অতুলনীয় শিল্প পরিপক্কতার কারণে আলাদা, যা LED এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স দ্বারা চালিত। এই পরিপক্কতা উচ্চ-মানের, কম-খরচের সাবস্ট্রেট, উন্নত এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির ক্ষমতা (যেমন, সিলিকনের উপর) এবং পরিশীলিত প্রক্রিয়াকরণ কৌশলে রূপান্তরিত হয়। Nguyen et al. (2019)-এর মতো কাজে রিপোর্ট করা GaN-এ কক্ষ-তাপমাত্রার কোয়ান্টাম নির্গমনকারীদের আবিষ্কার, স্কেলযোগ্য কোয়ান্টাম ফোটনিক্সের জন্য এই বিদ্যমান বাস্তুতন্ত্রের সুবিধা নেওয়ার দরজা খুলে দেয়। তবে, GaN-এর উচ্চ প্রতিসরাঙ্ক ($n_{GaN} \approx ২.৩৫$ at ৮১৫ nm) সম্পূর্ণ অভ্যন্তরীণ প্রতিফলন (TIR)-এর কারণে ফোটন আহরণকে মারাত্মকভাবে সীমিত করে।
3. প্রযুক্তিগত পদ্ধতি: কঠিন নিমজ্জন লেন্স (SIL)
3.1 কার্যপ্রণালীর মূলনীতি
একটি অর্ধগোলাকার SIL সরাসরি নমুনার পৃষ্ঠে স্থাপন করা হয়, নির্গমনকারীকে এর কেন্দ্রে (অ্যাপ্ল্যানেটিক পয়েন্ট) অবস্থিত করে। লেন্সটি কার্যকরভাবে উচ্চ-প্রতিসরাঙ্কের উপাদানের ভিতরে সংগ্রহ ব্যবস্থার সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার (NA) বৃদ্ধি করে। মূল সুবিধা হল এটি GaN-বায়ু ইন্টারফেসে ঘটে যাওয়া তীব্র প্রতিসরণ এবং TIR-কে এড়িয়ে যায়। পার্শ্বীয় রেজোলিউশন উন্নতি দেওয়া হয় $λ / (n_{SIL} · NA)$ দ্বারা, কার্যকরভাবে SIL ছাড়া ইমেজিংয়ের তুলনায় $n_{SIL}$ গুণ লাভ করে।
3.2 উপাদান নির্বাচন: জিরকোনিয়াম ডাইঅক্সাইড (ZrO2)
গবেষণার চতুর পছন্দ ছিল SIL-এর জন্য ZrO2 (কিউবিক জিরকোনিয়া)। এর প্রতিসরাঙ্ক ($n_{SIL} \approx ২.১৩$ at ৮১৫ nm) GaN-এর ($n_{GaN} \approx ২.৩৫$) "প্রায় সমান"। এটি গুরুত্বপূর্ণ GaN-SIL ইন্টারফেসে ফ্রেসনেল প্রতিফলন ক্ষয়কে ন্যূনতম করে। লম্ব আপতনের প্রতিফলনের সূত্র হল $R = \left( \frac{n_{GaN} - n_{SIL}}{n_{GaN} + n_{SIL}} \right)^2$। এই প্রতিসরাঙ্কের জন্য, $R \approx ০.০০২৫$ বা ০.২৫%, যার অর্থ GaN থেকে SIL-এ ৯৯.৭% এর বেশি আলো সঞ্চারিত হয়, যা অর্জিত দক্ষতার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ কারণ।
4. পরীক্ষামূলক সেটআপ ও ফলাফল
4.1 নমুনা বর্ণনা
পরীক্ষাটি একটি স্যাফায়ার সাবস্ট্রেটের উপর জন্মানো একটি সেমি-পোলার GaN স্তর ব্যবহার করেছিল। কক্ষ তাপমাত্রায় নিয়ার-ইনফ্রারেড (প্রায় ৮১৫ nm) তরঙ্গদৈর্ঘ্যে নির্গমনকারী একটি নির্দিষ্ট, উজ্জ্বল কালার সেন্টারকে লক্ষ্য কোয়ান্টাম নির্গমনকারী হিসেবে চিহ্নিত করা হয়েছিল।
4.2 প্রধান পরীক্ষামূলক ফলাফল
প্রাথমিক ফলাফল ছিল ZrO2 SIL স্থাপনের আগে ও পরে একক কালার সেন্টার থেকে সংগৃহীত ফোটন গণনার হার বৃদ্ধির সরাসরি পরিমাপ। বৃদ্ধির ফ্যাক্টরটি পরিমাপ করা হয়েছিল ৪.৩ ± ০.১ হিসেবে। একই সাথে, কনফোকাল ইমেজিং স্থানিক রেজোলিউশনে আনুপাতিক উন্নতি নিশ্চিত করেছিল।
4.3 তথ্য ও কার্যকারিতার মাপকাঠি
ফোটন সংগ্রহ বৃদ্ধি
৪.৩x
± ০.১
প্রতিসরাঙ্ক (GaN @৮১৫nm)
~২.৩৫
প্রতিসরাঙ্ক (ZrO2 SIL @৮১৫nm)
~২.১৩
ইন্টারফেস প্রতিফলন
<০.৩%
চার্ট/ডায়াগ্রাম বর্ণনা: একটি ধারণাগত চিত্র একটি কনফোকাল মাইক্রোস্কোপি সেটআপ দেখাবে। বাম দিকে, SIL ছাড়া: নির্গমনকারী (GaN-এ বিন্দু) থেকে বেশিরভাগ ফোটন GaN-বায়ু ইন্টারফেসে সম্পূর্ণ অভ্যন্তরীণ প্রতিফলনের মধ্য দিয়ে যায়, শুধুমাত্র আলোর একটি ছোট কোণ পালিয়ে যায়। ডান দিকে, সংযুক্ত অর্ধগোলাকার ZrO2 SIL সহ: পালানোর কোণটি SIL-এর মধ্যে নাটকীয়ভাবে প্রশস্ত হয়, এবং উচ্চ-NA অবজেক্টিভ লেন্স এই প্রসারিত আলোকে দক্ষতার সাথে সংগ্রহ করে। একটি দ্বিতীয় গ্রাফ দুটি ট্রেসের জন্য ফোটন গণনার হার (y-অক্ষ) বনাম সময় বা শক্তি (x-অক্ষ) প্লট করবে: একটি নিম্ন, স্থিতিশীল সংকেত (SIL ছাড়া) এবং একটি উল্লেখযোগ্যভাবে উচ্চতর, স্থিতিশীল সংকেত (SIL সহ), যা স্পষ্টভাবে ~৪.৩x বৃদ্ধি দেখায়।
5. বিশ্লেষণ ও আলোচনা
5.1 মূল অন্তর্দৃষ্টি ও যৌক্তিক ধারা
মূল অন্তর্দৃষ্টি: GaN-এর মতো শিল্প-গ্রেড অর্ধপরিবাহী কোয়ান্টাম অপটিক্সে ব্যবহারের সবচেয়ে বড় বাধা হল কোয়ান্টাম নির্গমনকারী তৈরি করা নয়—বরং ফোটনগুলিকে বের করে আনা। এই গবেষণাপত্রটি একটি অত্যন্ত কার্যকর, নিম্ন-জটিলতার সমাধান প্রদান করে। যুক্তিটি অখণ্ডনীয়: ১) GaN-এ দুর্দান্ত নির্গমনকারী আছে কিন্তু ভয়াবহ আলো আহরণ। ২) SIL হল শাস্ত্রীয় অপটিক্সে একটি পরিচিত সমাধান। ৩) SIL-এর প্রতিসরাঙ্ককে GaN-এর সাথে সযত্নে মিলিয়ে, তারা একটি মূল ক্ষয় প্রক্রিয়াকে ন্যূনতম করে যা অন্যরা প্রায়ই উপেক্ষা করে। ফলাফলটি কেবল একটি ক্রমবর্ধমান লাভ নয়; এটি একটি রূপান্তরকারী গুণক যা পূর্বে নিষ্প্রায় উৎসগুলিকে ব্যবহারিকভাবে কার্যকর করে তোলে।
5.2 পদ্ধতির শক্তি ও দুর্বলতা
শক্তিসমূহ:
- সরলতা ও পোস্ট-প্রসেসিং: এটি একটি "পিক-এন্ড-প্লেস" আপগ্রেড। আপনি প্রথমে একটি ভাল নির্গমনকারী খুঁজে পান, তারপর এটিকে বুস্ট করেন। এটি একটি অজানা নির্গমনকারী অবস্থানের চারপাশে ন্যানোস্ট্রাকচার (যেমন স্তম্ভ বা গ্রেটিং) ডিজাইনের উচ্চ ব্যর্থতার ঝুঁকি ও জটিলতা এড়ায়।
- ব্রডব্যান্ড ও মজবুত: বৃদ্ধিটি একটি বিস্তৃত বর্ণালী জুড়ে কাজ করে, অনুরণনমূলক কাঠামোর মতো নয়। এটি যান্ত্রিক ও তাপীয়ভাবে স্থিতিশীলও।
- বিদ্যমান প্রযুক্তির সুবিধা নেয়: এটি পরিণত কনফোকাল মাইক্রোস্কোপি কৌশল ব্যবহার করে, যার জন্য কোন অদ্ভুত সরঞ্জামের প্রয়োজন নেই।
- সংযোজনযোগ্য নয়: এটি হল ঘরের মাঝখানে হাতি। একটি চিপের উপর বসে থাকা ম্যাক্রোস্কোপিক SIL স্কেলযোগ্য, সংহত কোয়ান্টাম ফোটনিক সার্কিটের সাথে অসামঞ্জস্যপূর্ণ। এটি মৌলিক গবেষণা ও প্রমাণ-অব-ধারণার জন্য একটি দুর্দান্ত সরঞ্জাম, কিন্তু চূড়ান্ত চিপ-স্কেল পণ্যের জন্য একটি অচলাবস্থা।
- সারিবদ্ধতার সংবেদনশীলতা: যদিও "মোটা" সারিবদ্ধতা যথেষ্ট, সর্বোত্তম কার্যকারিতার জন্য নির্গমনকারীকে SIL-এর অ্যাপ্ল্যানেটিক পয়েন্টে সঠিকভাবে অবস্থান করা প্রয়োজন, যা চ্যালেঞ্জিং হতে পারে।
- উপাদানের অপূর্ণতা: প্রতিসরাঙ্কের অমিল, যদিও ছোট, তবুও কিছু ক্ষয় ঘটায়। একটি নিখুঁত প্রতিসরাঙ্ক মিল খুঁজে পাওয়া (যেমন, একটি ভিন্ন SIL উপাদান বা একটি কাস্টমাইজড GaN গঠন) বৃদ্ধিকে তাত্ত্বিক সীমা ~$n_{SIL}^2$-এর কাছাকাছি নিয়ে যেতে পারে।
5.3 কার্যকরী অন্তর্দৃষ্টি ও প্রভাব
গবেষক ও গবেষণা ও উন্নয়ন ব্যবস্থাপকদের জন্য:
- বৈশিষ্ট্যায়নের জন্য তাৎক্ষণিক সরঞ্জাম: GaN বা অনুরূপ উচ্চ-প্রতিসরাঙ্কের কোয়ান্টাম নির্গমনকারী নিয়ে কাজ করা প্রতিটি ল্যাবের কাছে প্রতিসরাঙ্ক-মিলিত SIL-এর একটি সেট থাকা উচিত। সংগ্রহ ক্ষয় প্রশমিত করে একটি ত্রুটির অন্তর্নিহিত কোয়ান্টাম অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য নির্ধারণের এটি দ্রুততম উপায়।
- সেতু কৌশল: কোয়ান্টাম কার্যকারিতা (যেমন, সেন্সিং, যোগাযোগ) এর দ্রুত প্রোটোটাইপিংয়ের জন্য SIL-বর্ধিত ডিভাইস ব্যবহার করুন, যখন সমান্তরাল দলগুলি সংযোজনযোগ্য আহরণ সমাধান (ইনভার্স টেপার, মেটাসারফেস কাপলার) নিয়ে কাজ করে।
- উপাদান অনুসন্ধান নির্দেশিকা: এই সাফল্যটি নতুন নির্গমনকারীদের আবিষ্কার রিপোর্ট করার পাশাপাশি, মৌলিক আহরণ প্রকৌশলের পরবর্তী তাদের কার্যকারিতা রিপোর্ট করার গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োজনীয়তার উপর জোর দেয়। একটি SIL সহ একটি "নিষ্প্রায়" নির্গমনকারী উজ্জ্বল হতে পারে।
- বিক্রেতার সুযোগ: কোয়ান্টাম গবেষণার জন্য কাস্টমাইজড উচ্চ-মানের, প্রতিসরাঙ্ক-মিলিত SIL (ZrO2, GaN, SiC)-এর জন্য একটি বাজার রয়েছে। বাইরের পৃষ্ঠে অ্যান্টি-রিফ্লেকশন জন্য সুনির্দিষ্ট পলিশিং এবং কোটিং হল মূল্য সংযোজন।
6. প্রযুক্তিগত বিবরণ ও গাণিতিক রূপ
বৃদ্ধি মৌলিকভাবে কার্যকর সংগ্রহ সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার বৃদ্ধির সাথে সম্পর্কিত। অর্ধপরিবাহীতে সংগৃহীত আলোর সর্বাধিক অর্ধ-কোণ হল $θ_c = \sin^{-1}(NA / n_{SIL})$। SIL ছাড়া, GaN-এ সর্বাধিক কোণ GaN-বায়ু ইন্টারফেসে TIR-এর জন্য সমালোচনীয় কোণ দ্বারা সীমিত: $θ_{c, GaN-air} = \sin^{-1}(1/n_{GaN})$। SIL কার্যকরভাবে বায়ুকে একটি উচ্চ-প্রতিসরাঙ্কের মাধ্যম দিয়ে প্রতিস্থাপন করে, অনেক বড় কোণ $θ_c$ সংগ্রহ করতে দেয়। ইন্টারফেসের সাথে লম্বভাবে অভিমুখী একটি ডাইপোল নির্গমনকারীর জন্য সংগৃহীত শক্তি বৃদ্ধি আনুমানিকভাবে সংগৃহীত কঠিন কোণের মধ্যে এর বিকিরণের ভগ্নাংশ মূল্যায়ন করে অনুমান করা যেতে পারে। একটি SIL-এর মতো ব্রডব্যান্ড, নন-রেজোন্যান্ট পদ্ধতির জন্য, বৃদ্ধির ফ্যাক্টর $η$ কঠিন কোণ বৃদ্ধির সাথে সমানুপাতিক: $η \propto \frac{1 - \cos(θ_{c, with\ SIL})}{1 - \cos(θ_{c, without\ SIL})}$। একটি উচ্চ-NA অবজেক্টিভ এবং প্রায়-প্রতিসরাঙ্ক মিলনের সাথে, এটি পর্যবেক্ষিত কয়েকগুণ উন্নতির দিকে নিয়ে যায়।
7. বিশ্লেষণ কাঠামো: একটি ব্যবহারিক উদাহরণ
কেস: SiC-এ একটি নতুন কোয়ান্টাম নির্গমনকারীর মূল্যায়ন। একটি গবেষণা দল 4H-SiC ($n \approx ২.৬$ at ১১০০ nm)-এ একটি নতুন একক-ফোটন নির্গমনকারী ত্রুটি আবিষ্কার করে।
- বেসলাইন পরিমাপ: একটি একক নির্গমনকারী খুঁজে পেতে স্ট্যান্ডার্ড কনফোকাল ফটোলুমিনেসেন্স ম্যাপিং সম্পাদন করুন। প্রমিত শর্তে (যেমন, ১ mW উত্তেজনা, নির্দিষ্ট অবজেক্টিভ NA) এর স্যাচুরেশন কার্ভ এবং ফোটন গণনার হার রেকর্ড করুন। এটি হল "অ-বর্ধিত" বেঞ্চমার্ক।
- SIL প্রয়োগ: ২.৬-এর কাছাকাছি প্রতিসরাঙ্ক সহ একটি SIL উপাদান নির্বাচন করুন। টাইটানিয়াম ডাইঅক্সাইড (TiO2, রুটাইল, $n \approx ২.৫-২.৬$) বা একটি বিশেষভাবে জন্মানো SiC গোলার্ধ প্রার্থী হতে পারে। সতর্কতার সাথে চিহ্নিত নির্গমনকারীর উপর এটি স্থাপন করুন।
- বর্ধিত পরিমাপ: স্যাচুরেশন কার্ভ পরিমাপ পুনরাবৃত্তি করুন। বিশ্লেষণ কাঠামোতে বৃদ্ধির ফ্যাক্টর গণনা জড়িত: $\text{EF} = \frac{\text{Count Rate}_{\text{with SIL}}}{\text{Count Rate}_{\text{without SIL}}}$।
- ব্যাখ্যা: যদি EF ~৬-৭ হয়, এটি কঠিন-কোণ বৃদ্ধি থেকে প্রত্যাশার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। যদি EF উল্লেখযোগ্যভাবে কম হয়, তবে এটি তদন্তের দিকে পরিচালিত করে: SIL উপাদানের গুণমান/প্রতিসরাঙ্ক অমিল, নির্গমনকারীর অবস্থান, বা নির্গমনকারীর নিজের মধ্যে অ-বিকিরণ প্রক্রিয়া নতুন সীমাবদ্ধ ফ্যাক্টর হয়ে উঠছে। এই কাঠামোটি আহরণ সীমাবদ্ধতাকে নির্গমনকারী-অন্তর্নিহিত সীমাবদ্ধতা থেকে আলাদা করে।
8. ভবিষ্যতের প্রয়োগ ও গবেষণার দিকনির্দেশ
- হাইব্রিড সংহত ব্যবস্থা: যদিও স্ট্যান্ডালোন SIL সংযোজনযোগ্য নয়, ধারণাটি অন-চিপ মাইক্রো-SIL বা লেন্সযুক্ত ফাইবারকে সরাসরি ফোটনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (PIC)-এর উপর তৈরি বা বন্ধন করে নির্গমনকারী থেকে ওয়েভগাইডে আলো যুক্ত করতে অনুপ্রাণিত করতে পারে।
- কোয়ান্টাম সেন্সিং প্রোটোটাইপ: SIL-বর্ধিত, উজ্জ্বল GaN নির্গমনকারী ল্যাবরেটরি ব্যবহারের জন্য কমপ্যাক্ট, কক্ষ-তাপমাত্রার কোয়ান্টাম সেন্সর (ম্যাগনেটোমিটার, থার্মোমিটার) বিকাশের জন্য আদর্শ, যেখানে পোর্টেবিলিটি সম্পূর্ণ চিপ ইন্টিগ্রেশনের চেয়ে বেশি গুরুত্বপূর্ণ।
- উপাদান আবিষ্কার প্ল্যাটফর্ম: এই কৌশলটি কোয়ান্টাম ত্রুটির জন্য নতুন প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ উপাদান (যেমন, অক্সাইড, অন্যান্য তৃতীয়-নাইট্রাইড) দক্ষতার সাথে স্ক্রিনিংয়ের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ হবে, কারণ এটি দ্রুত একটি নির্গমনকারীর কার্যকারিতা সম্ভাবনা প্রকাশ করে।
- উন্নত SIL ডিজাইন: ভবিষ্যতের কাজ আরও উচ্চ NA-এর জন্য সুপারস্ফিয়ার SIL অন্বেষণ করতে পারে, বা একটি একক উপাদানে সংগ্রহ বৃদ্ধির সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্য রূপান্তরকে একত্রিত করতে অরৈখিক উপাদান থেকে তৈরি SIL অন্বেষণ করতে পারে।
- সংযোজনের দিকে: চূড়ান্ত দিকনির্দেশ হল SIL-এর ভৌত নীতিকে ন্যানোফোটনিক কাঠামোতে অনুবাদ করা—যেমন বুলসআই গ্রেটিং বা প্যারাবলিক রিফ্লেক্টর—যেগুলি কালার সেন্টারের চারপাশে এককভাবে তৈরি করা হয়, একটি সমতল, স্কেলযোগ্য বিন্যাসে অনুরূপ আহরণ সুবিধা প্রদান করে।
9. তথ্যসূত্র
- Aharonovich, I., Englund, D., & Toth, M. (2016). Solid-state single-photon emitters. Nature Photonics, 10(10), 631–641.
- Nguyen, M., et al. (2019). Photophysics of point defects in GaN. Physical Review B, 100(16), 165301. (GaN কালার সেন্টারের উপর ভিত্তি করে কাজ হিসেবে উদ্ধৃত)।
- Manson, N. B., et al. (2006). NV centers in diamond: Properties and applications. Journal of Physics: Condensed Matter, 18(21), S87.
- Castelletto, S., & Boretti, A. (2020). Silicon carbide color centers for quantum applications. Journal of Physics: Photonics, 2(2), 022001.
- Bishop, S. G., et al. (2020). Enhanced light collection from a gallium nitride color center using a near index-matched solid immersion lens. Applied Physics Letters, 117, 084001. (বিশ্লেষিত প্রাথমিক গবেষণাপত্র)।
- Lodahl, P., et al. (2015). Chiral quantum optics. Nature, 541(7638), 473–480. (নির্গমনকারী-ফোটন ইন্টারফেস প্রকৌশলের প্রসঙ্গে)।
- Cardiff University, School of Physics and Astronomy. (n.d.). Quantum Light & Matter Group. Retrieved from university website. (এই ডোমেনে একটি সক্রিয় গবেষণা দলের উদাহরণ হিসেবে)।